產品概述

液氮高低溫探針臺在科學研究和技術開發(fā)中發(fā)揮著至關重要的作用。它能夠在低溫環(huán)境下對樣品進行各種非破壞性的物理性能和電學性能測試，幫助研究人員深入了解材料或者器件的各種物理性能和電學性能，從而為新材料的研發(fā)和應用提供重要的數(shù)據(jù)支持。

PSM-LN2系列液氮高低溫探針臺能夠為半導體芯片的電學參數(shù)測試提供一個80K-800K高低溫真空測試環(huán)境，通過外接不同的電學測量儀器，可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數(shù)檢測，用于低溫真空環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電測試。

特點
• 液氮高低溫真空探針臺，15分鐘內腔體真空度可達到 10E-4torr，液氮消耗量小,降到溫度只需0.2L液氮，使用方便快捷同時兼顧經(jīng)濟性。
• 探針臂的位移調節(jié)在真空腔外操作，可以在不破壞真空 的情況下，切換樣品上的不同器件進行測試。
• 特別的探針臂 X-Y-Z-R四維調節(jié)，能滿足4英寸樣品的測試。
• 真空腔材質為鋁制材料，能夠有效減小外界的電磁干擾，提高測試的精準度和穩(wěn)定性
• 探針臂采用三同軸接頭，漏電性能好，實測漏電流小于100fA @1V@80K–800K
• 測試溫度范圍寬，支持80K-800K連續(xù)變溫。
• 特別設計的柔性探針，將探針安裝到銅制彈片上，避免扎針過程中力量過大導致樣品或電極損壞
• 上蓋采用翻蓋結構，換樣更便捷。

技術參數(shù)

參數(shù)和指標：